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ROHM推出SOT-223-3小型封裝600V耐壓Super Junction MOSFET 有助照明電源、泵浦、馬達(dá)等應(yīng)用小型化和薄型化!
半導(dǎo)體製造商ROHM(總公司:日本京都市)推出採(cǎi)用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET*1「R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4 / R6002JND4 / R6003JND4」,非常適用於照明用小型電源、泵浦和馬達(dá)等應(yīng)用。
近年來(lái)隨著照明用小型電源和泵浦用馬達(dá)的性能提升,對(duì)在上述應(yīng)用中發(fā)揮開(kāi)關(guān)作用的MOSFET小型化產(chǎn)品需求也日益高漲。通常對(duì)於Super Junction MOSFET而言,在保持高耐壓和低導(dǎo)通電阻特性的理想平衡同時(shí),很難進(jìn)一步縮小體積。此次ROHM透過(guò)改進(jìn)內(nèi)建晶片形狀,在不犧牲以往產(chǎn)品性能的前提下,開(kāi)發(fā)出5款更小更薄的SOT-223-3封裝新產(chǎn)品。
與以往TO-252封裝(6.60mm×10.00mm×2.30mm)產(chǎn)品相比,新產(chǎn)品的面積減少約31%,厚度減少約27%,有助實(shí)現(xiàn)更小、更薄的應(yīng)用產(chǎn)品。另外新產(chǎn)品還支援TO-252封裝電路板上的佈線圖案(焊盤圖案),因此也可以直接使用現(xiàn)有的電路板。
5款新產(chǎn)品分別適用於小型電源和馬達(dá)應(yīng)用,各有不同的特點(diǎn)。適用於小型電源的有三款型號(hào),「R6004END4」具有低雜訊的特點(diǎn),適用於需要低雜訊的應(yīng)用;「R6003KND4」和「R6006KND4」具有高速開(kāi)關(guān)的特點(diǎn),適用於需要低損耗且高效率工作的應(yīng)用;「R6002JND4」和「R6003JND4」採(cǎi)用ROHM獨(dú)家技術(shù)加快了反向恢復(fù)時(shí)間(trr*2),並大大降低了開(kāi)關(guān)損耗,屬於“PrestoMOS”產(chǎn)品,非常適用於馬達(dá)應(yīng)用。此外為了加快上述產(chǎn)品的應(yīng)用,在ROHM官網(wǎng)上還免費(fèi)提供電路設(shè)計(jì)所需的應(yīng)用指南和多種技術(shù)資料,以及模擬用的SPICE模型等資源。
新產(chǎn)品已於2023年11月開(kāi)始暫以每月10萬(wàn)個(gè)的規(guī)模投入量產(chǎn)(樣品價(jià)格400日元/個(gè),未稅)。另外樣品也已開(kāi)始透過(guò)電商平臺(tái)銷售。
今後ROHM將繼續(xù)開(kāi)發(fā)不同封裝和低導(dǎo)通電阻產(chǎn)品,不斷擴(kuò)大Super Junction MOSFET產(chǎn)品陣容,透過(guò)助力各種應(yīng)用設(shè)備降低功耗,對(duì)環(huán)保課題的解決有所貢獻(xiàn)。
<產(chǎn)品陣容>
小型電源用
馬達(dá)用
<應(yīng)用範(fàn)例>
?R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4:照明、空調(diào)、冰箱等
?R6002JND4 / R6003JND4:泵浦、風(fēng)扇、影印機(jī)等所使用的馬達(dá)
<電商銷售資訊>
開(kāi)始銷售時(shí)間:2023年12月起
電商平臺(tái):MOUSER、Digi-Key等
<Super Junction MOSFET專頁(yè)>
ROHM官網(wǎng)上提供與SOT-223-3封裝相關(guān)的應(yīng)用指南,以及各種電路設(shè)計(jì)所需的資料。
https://www.rohm.com.tw/support/super-junction-mosfet
<什麼是PrestoMOS>
Presto表示「極快」,是源自於義大利文的音樂(lè)術(shù)語(yǔ)。
是ROHM獨(dú)家的功率MOSFET品牌,該品牌的MOSFET產(chǎn)品不僅保持了Super Junction MOSFET高耐壓和低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn),還縮短了內(nèi)建二極體的反向恢復(fù)時(shí)間。由於可有效降低開(kāi)關(guān)損耗因而越來(lái)越常被運(yùn)用於空調(diào)和冰箱等配備逆變電路的應(yīng)用。
<名詞解釋>
*1) Super Junction MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)
MOSFET是電晶體的一種,根據(jù)元件結(jié)構(gòu)上的不同又可細(xì)分為平面MOSFET、Super Junction MOSFET等不同種類的產(chǎn)品。與平面MOSFET相比,Super Junction MOSFET能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)高耐壓和低導(dǎo)通電阻,在處理大功率時(shí)損耗更小。
*2) trr:反向恢復(fù)時(shí)間(Reverse Recovery Time)
內(nèi)建二極體從導(dǎo)通狀態(tài)到完全關(guān)斷狀態(tài)所需的時(shí)間。該值越低,切換時(shí)的損耗越小。
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